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UT6MA2TCR

UT6MA2TCR

僅供參考

型號 UT6MA2TCR
PNEDA編號 UT6MA2TCR
描述 UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UT6MA2TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UT6MA2TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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UT6MA2TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.3nC, 6.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds180pF, 305pF @ 15V
功率-最大2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerUDFN
供應商設備包裝HUML2020L8

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microsemi

制造商

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-

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

163A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 81.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

492nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22400pF @ 25V

功率-最大

1136W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

17-SMD, Gull Wing

供應商設備包裝

ISOPLUS-DIL™

APTMC120AM08CD3AG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Silicon Carbide (SiC)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

490nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9500pF @ 1000V

功率-最大

1100W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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