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V10P12-M3/86A

V10P12-M3/86A

僅供參考

型號 V10P12-M3/86A
PNEDA編號 V10P12-M3-86A
描述 DIODE SCHOTTKY 10A 120V TO-277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V10P12-M3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V10P12-M3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V10P12-M3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果820mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr400µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 50V

電容@ Vr,F

25pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

75pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

eSMP®, TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-277, 3-PowerDFN

供應商設備包裝

TO-277A (SMPC)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

SUPERECTIFIER®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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