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V12P12-M3/86A

V12P12-M3/86A

僅供參考

型號 V12P12-M3/86A
PNEDA編號 V12P12-M3-86A
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 108,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V12P12-M3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V12P12-M3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V12P12-M3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

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