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V12PM45-M3/I

V12PM45-M3/I

僅供參考

型號 V12PM45-M3/I
PNEDA編號 V12PM45-M3-I
描述 RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V12PM45-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V12PM45-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
V12PM45-M3/I, V12PM45-M3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 102.3 KB)
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V12PM45-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列*
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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電流-平均整流(Io)

30A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

1220pF @ 1V, 100KHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-2

供應商設備包裝

TO-247-2

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

350mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 10V

電容@ Vr,F

28pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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