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V15P12-M3/H

V15P12-M3/H

僅供參考

型號 V15P12-M3/H
PNEDA編號 V15P12-M3-H
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V15P12-M3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V15P12-M3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
V15P12-M3/H, V15P12-M3/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 95.88 KB)
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V15P12-M3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果810mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

9µA @ 650V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

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