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V15PM12-M3/I

V15PM12-M3/I

僅供參考

型號 V15PM12-M3/I
PNEDA編號 V15PM12-M3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V15PM12-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V15PM12-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
V15PM12-M3/I, V15PM12-M3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 105.29 KB)
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V15PM12-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr800µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 300V

電容@ Vr,F

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