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V2FL45HM3/I

V2FL45HM3/I

僅供參考

型號 V2FL45HM3/I
PNEDA編號 V2FL45HM3-I
描述 2A,45V,SMF,TRENCH SKY RECT.
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V2FL45HM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V2FL45HM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V2FL45HM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果560mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr570µA @ 45V
電容@ Vr,F270pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 400V

電容@ Vr,F

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包裝/箱

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600V

電流-平均整流(Io)

220A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.75V @ 800A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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