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V2FM15-M3/I

V2FM15-M3/I

僅供參考

型號 V2FM15-M3/I
PNEDA編號 V2FM15-M3-I
描述 2A,150V,SMF,TRENCH SKY RECT.
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V2FM15-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V2FM15-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V2FM15-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.46V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 150V
電容@ Vr,F90pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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10µA @ 600V

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