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V2PM10HM3/H

V2PM10HM3/H

僅供參考

型號 V2PM10HM3/H
PNEDA編號 V2PM10HM3-H
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 2A MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V2PM10HM3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V2PM10HM3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V2PM10HM3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果830mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 100V
電容@ Vr,F150pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AD
供應商設備包裝MicroSMP (DO-219AD)
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

27pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

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5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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