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V3F6-M3/H

V3F6-M3/H

僅供參考

型號 V3F6-M3/H
PNEDA編號 V3F6-M3-H
描述 3A,60V,SMF,TRENCH SKY RECT.
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 46,422
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V3F6-M3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V3F6-M3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
V3F6-M3/H, V3F6-M3/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 101.82 KB)
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V3F6-M3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果620mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr600µA @ 60V
電容@ Vr,F310pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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2.9V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

45µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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600V

電流-平均整流(Io)

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1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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1.6V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

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