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V8P12HM3_A/I

V8P12HM3_A/I

僅供參考

型號 V8P12HM3_A/I
PNEDA編號 V8P12HM3_A-I
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V8P12HM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V8P12HM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
V8P12HM3_A/I, V8P12HM3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 88.93 KB)
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V8P12HM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr300µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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制造商

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50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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