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V8PA10-M3/I

V8PA10-M3/I

僅供參考

型號 V8PA10-M3/I
PNEDA編號 V8PA10-M3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V8PA10-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V8PA10-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
V8PA10-M3/I, V8PA10-M3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 146.87 KB)
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V8PA10-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果760mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr800µA @ 100V
電容@ Vr,F850pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
供應商設備包裝DO-221BC (SMPA)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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1.05V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

16µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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