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V8PAM10HM3/I

V8PAM10HM3/I

僅供參考

型號 V8PAM10HM3/I
PNEDA編號 V8PAM10HM3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V8PAM10HM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V8PAM10HM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V8PAM10HM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果780mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 100V
電容@ Vr,F810pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
供應商設備包裝DO-221BC (SMPA)
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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當前-反向泄漏@ Vr

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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400V

電流-平均整流(Io)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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50V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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