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V8PAM12-M3/I

V8PAM12-M3/I

僅供參考

型號 V8PAM12-M3/I
PNEDA編號 V8PAM12-M3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V8PAM12-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V8PAM12-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V8PAM12-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 120V
電容@ Vr,F730pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
供應商設備包裝DO-221BC (SMPA)
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 2200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 20V

電容@ Vr,F

46pF @ 0V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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