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V8PAN50-M3/I

V8PAN50-M3/I

僅供參考

型號 V8PAN50-M3/I
PNEDA編號 V8PAN50-M3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 3.7A DO221BC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V8PAN50-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V8PAN50-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V8PAN50-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)3.7A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果420mV @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1.5mA @ 50V
電容@ Vr,F1060pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
供應商設備包裝DO-221BC (SMPA)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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1000V

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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1000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1kV

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 25A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 25V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

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