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V8PM10S-M3/H

V8PM10S-M3/H

僅供參考

型號 V8PM10S-M3/H
PNEDA編號 V8PM10S-M3-H
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 35,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V8PM10S-M3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V8PM10S-M3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V8PM10S-M3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果780mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 100V
電容@ Vr,F860pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 1200V

電容@ Vr,F

359pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

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