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VB30100SG-M3/8W

VB30100SG-M3/8W

僅供參考

型號 VB30100SG-M3/8W
PNEDA編號 VB30100SG-M3-8W
描述 DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VB30100SG-M3/8W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VB30100SG-M3/8W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VB30100SG-M3/8W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr350µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 3V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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