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VB30200C-E3/4W

VB30200C-E3/4W

僅供參考

型號 VB30200C-E3/4W
PNEDA編號 VB30200C-E3-4W
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $3.1565
250 ---------- $3.0085
500 ---------- $2.8606
1,000 ---------- $2.7126
2,500 ---------- $2.5893
5,000 ---------- $2.4660
庫存 3,605
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VB30200C-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VB30200C-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
VB30200C-E3/4W, VB30200C-E3/4W數據表 (總頁數: 6, 大小: 212.32 KB)
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VB30200C-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr160µA @ 200V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 40V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 270A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 100V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 100V

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