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VBT1045BP-M3/4W

VBT1045BP-M3/4W

僅供參考

型號 VBT1045BP-M3/4W
PNEDA編號 VBT1045BP-M3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VBT1045BP-M3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VBT1045BP-M3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VBT1045BP-M3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)10A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果680mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)10ns
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 45V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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1.1V @ 25A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

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