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VBT3080S-E3/4W

VBT3080S-E3/4W

僅供參考

型號 VBT3080S-E3/4W
PNEDA編號 VBT3080S-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VBT3080S-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VBT3080S-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VBT3080S-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 80V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

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920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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40V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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