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VDZT2R11B

VDZT2R11B

僅供參考

型號 VDZT2R11B
PNEDA編號 VDZT2R11B
描述 DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
制造商 Rohm Semiconductor
單價
1 ---------- $1.2010
500 ---------- $1.1447
1,000 ---------- $1.0884
2,500 ---------- $1.0321
5,000 ---------- $0.9852
10,000 ---------- $0.9383
庫存 85,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VDZT2R11B資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VDZT2R11B
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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VDZT2R11B規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)11V
公差±2%
功率-最大100mW
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝VMD2

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電壓-齊納(額定)(Vz)

68V

公差

±20%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

120 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 51.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

4.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 6.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

110V

公差

±10%

功率-最大

1.85W

阻抗(最大值)(閽zt)

125 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 82V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

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-

安裝類型

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公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

150 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 47V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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