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VF30120SG-M3/4W

VF30120SG-M3/4W

僅供參考

型號 VF30120SG-M3/4W
PNEDA編號 VF30120SG-M3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 30A 120V ITO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VF30120SG-M3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VF30120SG-M3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VF30120SG-M3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.28V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Isolated Tab
供應商設備包裝ITO-220AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

150°C (Max)

CURMT105-HF

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Comchip Technology

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.75mA @ 40V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-263AB (D²PAK)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 700mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 30V

電容@ Vr,F

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