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VI20202G-M3/4W

VI20202G-M3/4W

僅供參考

型號 VI20202G-M3/4W
PNEDA編號 VI20202G-M3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO262AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VI20202G-M3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VI20202G-M3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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VI20202G-M3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 200V
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262AA

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 35V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

26ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

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