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VI30100S-M3/4W

VI30100S-M3/4W

僅供參考

型號 VI30100S-M3/4W
PNEDA編號 VI30100S-M3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VI30100S-M3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VI30100S-M3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VI30100S-M3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果910mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262AA
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AA, DO-27, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-65°C ~ 170°C

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 30V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AD

供應商設備包裝

MicroSMP (DO-219AD)

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520V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 520V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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400V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 400V

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-

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