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VLZ11B-GS18

VLZ11B-GS18

僅供參考

型號 VLZ11B-GS18
PNEDA編號 VLZ11B-GS18
描述 DIODE ZENER 10.78V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VLZ11B-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VLZ11B-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
VLZ11B-GS18, VLZ11B-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 152.75 KB)
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VLZ11B-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)10.78V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)10 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 9.98V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 82V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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功率-最大

500mW

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當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 27.3V

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1µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

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