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VS-10ETF02S-M3

VS-10ETF02S-M3

僅供參考

型號 VS-10ETF02S-M3
PNEDA編號 VS-10ETF02S-M3
描述 DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-10ETF02S-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-10ETF02S-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-10ETF02S-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 300mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

820A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 750A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 2600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AA, A-PUK

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

125V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 60V

電容@ Vr,F

3pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

140µA @ 650V

電容@ Vr,F

250pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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