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VS-10ETS08STRLPBF

VS-10ETS08STRLPBF

僅供參考

型號 VS-10ETS08STRLPBF
PNEDA編號 VS-10ETS08STRLPBF
描述 DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-10ETS08STRLPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-10ETS08STRLPBF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-10ETS08STRLPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 10A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 45V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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35ns

當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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