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VS-1EFH02HM3/I

VS-1EFH02HM3/I

僅供參考

型號 VS-1EFH02HM3/I
PNEDA編號 VS-1EFH02HM3-I
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 84,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1EFH02HM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1EFH02HM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-1EFH02HM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果930mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.16V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

13pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

85pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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