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VS-1N1186

VS-1N1186

僅供參考

型號 VS-1N1186
PNEDA編號 VS-1N1186
描述 DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1N1186資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1N1186
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-1N1186, VS-1N1186數據表 (總頁數: 7, 大小: 145.44 KB)
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VS-1N1186規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 110A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10mA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

21ns

當前-反向泄漏@ Vr

28µA @ 40V

電容@ Vr,F

560pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 20V

電容@ Vr,F

100pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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