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VS-1N1202RA

VS-1N1202RA

僅供參考

型號 VS-1N1202RA
PNEDA編號 VS-1N1202RA
描述 DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1N1202RA資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1N1202RA
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-1N1202RA, VS-1N1202RA數據表 (總頁數: 5, 大小: 126.06 KB)
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VS-1N1202RA規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-203AA
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

170ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D-PAK (TO-252AA)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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