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VS-1N3208

VS-1N3208

僅供參考

型號 VS-1N3208
PNEDA編號 VS-1N3208
描述 DIODE GEN PURP 50V 15A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $59.9226
100 ---------- $57.1137
250 ---------- $54.3048
500 ---------- $51.4960
750 ---------- $49.1552
1,000 ---------- $46.8145
庫存 278
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 2 - 一月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1N3208資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1N3208
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-1N3208, VS-1N3208數據表 (總頁數: 5, 大小: 129.65 KB)
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VS-1N3208規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 15A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10mA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

9ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

9pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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150V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.02V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 400V

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