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VS-20ETF12SPBF

VS-20ETF12SPBF

僅供參考

型號 VS-20ETF12SPBF
PNEDA編號 VS-20ETF12SPBF
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $31.5663
100 ---------- $30.0867
250 ---------- $28.6070
500 ---------- $27.1273
750 ---------- $25.8943
1,000 ---------- $24.6612
庫存 834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20ETF12SPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20ETF12SPBF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-20ETF12SPBF, VS-20ETF12SPBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 232.38 KB)
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VS-20ETF12SPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.31V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)400ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SQ-MELF, A

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

42pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AA (SMB)

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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