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VS-20ETF12STRR-M3

VS-20ETF12STRR-M3

僅供參考

型號 VS-20ETF12STRR-M3
PNEDA編號 VS-20ETF12STRR-M3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20ETF12STRR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20ETF12STRR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-20ETF12STRR-M3, VS-20ETF12STRR-M3數據表 (總頁數: 7, 大小: 212.92 KB)
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VS-20ETF12STRR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.31V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)400ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

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