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VS-20ETS12S-M3

VS-20ETS12S-M3

僅供參考

型號 VS-20ETS12S-M3
PNEDA編號 VS-20ETS12S-M3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20ETS12S-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20ETS12S-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-20ETS12S-M3, VS-20ETS12S-M3數據表 (總頁數: 11, 大小: 252.36 KB)
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VS-20ETS12S-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123W

供應商設備包裝

SOD123W

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

VS-30EPH06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.6V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-2

供應商設備包裝

TO-247AC Modified

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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