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VS-2EFU06-M3/I

VS-2EFU06-M3/I

僅供參考

型號 VS-2EFU06-M3/I
PNEDA編號 VS-2EFU06-M3-I
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-2EFU06-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-2EFU06-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-2EFU06-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)55ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 100°C

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45V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

430mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

450µA @ 45V

電容@ Vr,F

450pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (HSMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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