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VS-3EJH02HM3/6B

VS-3EJH02HM3/6B

僅供參考

型號 VS-3EJH02HM3/6B
PNEDA編號 VS-3EJH02HM3-6B
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-3EJH02HM3/6B資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-3EJH02HM3/6B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-3EJH02HM3/6B規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果930mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 200V
電容@ Vr,F13pF @ 200V
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221AC, SMA Flat Leads
供應商設備包裝DO-221AC (SlimSMA)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.47V @ 600A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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供應商設備包裝

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

600mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 600mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

60pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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60V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 60V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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