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VS-50WQ10FN-M3

VS-50WQ10FN-M3

僅供參考

型號 VS-50WQ10FN-M3
PNEDA編號 VS-50WQ10FN-M3
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 27,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-50WQ10FN-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-50WQ10FN-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-50WQ10FN-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)5.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果770mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 100V
電容@ Vr,F183pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.16V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

32pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.31V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 800V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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2.9V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

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