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VS-60APF02-M3

VS-60APF02-M3

僅供參考

型號 VS-60APF02-M3
PNEDA編號 VS-60APF02-M3
描述 DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-60APF02-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-60APF02-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-60APF02-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)60A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)180ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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15V

電流-平均整流(Io)

19A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

360mV @ 19A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10.5mA @ 15V

電容@ Vr,F

2000pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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