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VS-6ESH02-M3/87A

VS-6ESH02-M3/87A

僅供參考

型號 VS-6ESH02-M3/87A
PNEDA編號 VS-6ESH02-M3-87A
描述 DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-6ESH02-M3/87A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-6ESH02-M3/87A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-6ESH02-M3/87A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果940mV @ 6A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)22ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 800mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

77pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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45V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1300V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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