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VS-85HFR120

VS-85HFR120

僅供參考

型號 VS-85HFR120
PNEDA編號 VS-85HFR120
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $149.4433
50 ---------- $142.4382
100 ---------- $135.4330
200 ---------- $128.4279
400 ---------- $122.5902
500 ---------- $116.7526
庫存 258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-85HFR120資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-85HFR120
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-85HFR120, VS-85HFR120數據表 (總頁數: 10, 大小: 178.39 KB)
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VS-85HFR120規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 267A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr9mA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB
工作溫度-結點-65°C ~ 180°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

180A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

910mV @ 180A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5mA @ 100V

電容@ Vr,F

4150pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D-67

工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 30V

電容@ Vr,F

20pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, Flat Lead

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工作溫度-結點

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.3µs

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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