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VS-8ETH03-M3

VS-8ETH03-M3

僅供參考

型號 VS-8ETH03-M3
PNEDA編號 VS-8ETH03-M3
描述 DIODE FRED 300V 8A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 18,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8ETH03-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8ETH03-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8ETH03-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

540mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

35pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220F-2FS

工作溫度-結點

150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 120V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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