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VS-8ETH06STRL-M3

VS-8ETH06STRL-M3

僅供參考

型號 VS-8ETH06STRL-M3
PNEDA編號 VS-8ETH06STRL-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8ETH06STRL-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8ETH06STRL-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8ETH06STRL-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.4V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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125V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 300mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3nA @ 125V

電容@ Vr,F

6pF @ 0V, 1MHz

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

220A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.75V @ 800A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1000V

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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