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VS-8ETU04-1HM3

VS-8ETU04-1HM3

僅供參考

型號 VS-8ETU04-1HM3
PNEDA編號 VS-8ETU04-1HM3
描述 DIODE GEN PURP 400V 8A TO262AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8ETU04-1HM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8ETU04-1HM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-8ETU04-1HM3, VS-8ETU04-1HM3數據表 (總頁數: 10, 大小: 225.95 KB)
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VS-8ETU04-1HM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)43ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.4mA @ 35V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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