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VS-8ETU04STRR-M3

VS-8ETU04STRR-M3

僅供參考

型號 VS-8ETU04STRR-M3
PNEDA編號 VS-8ETU04STRR-M3
描述 DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8ETU04STRR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8ETU04STRR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8ETU04STRR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)60ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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安裝類型

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包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 20V

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