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VS-8EWF02STRR-M3

VS-8EWF02STRR-M3

僅供參考

型號 VS-8EWF02STRR-M3
PNEDA編號 VS-8EWF02STRR-M3
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8EWF02STRR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8EWF02STRR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8EWF02STRR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)55ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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800mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 90V

電容@ Vr,F

50pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

27ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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