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VS-8EWF10STRL-M3

VS-8EWF10STRL-M3

僅供參考

型號 VS-8EWF10STRL-M3
PNEDA編號 VS-8EWF10STRL-M3
描述 DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8EWF10STRL-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8EWF10STRL-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8EWF10STRL-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)270ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

450ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

360mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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150V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

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