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VS-8EWF12S-M3

VS-8EWF12S-M3

僅供參考

型號 VS-8EWF12S-M3
PNEDA編號 VS-8EWF12S-M3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 15,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8EWF12S-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8EWF12S-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-8EWF12S-M3, VS-8EWF12S-M3數據表 (總頁數: 8, 大小: 226.57 KB)
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VS-8EWF12S-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)270ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

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Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

300pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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