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VS-8TQ080STRRHM3

VS-8TQ080STRRHM3

僅供參考

型號 VS-8TQ080STRRHM3
PNEDA編號 VS-8TQ080STRRHM3
描述 DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8TQ080STRRHM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8TQ080STRRHM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8TQ080STRRHM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果720mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr550µA @ 80V
電容@ Vr,F500pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.47V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 150V

電容@ Vr,F

950pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

400pF @ 5V, 1MHz

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