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VS-CPV363M4FPBF

VS-CPV363M4FPBF

僅供參考

型號 VS-CPV363M4FPBF
PNEDA編號 VS-CPV363M4FPBF
描述 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 21 - 二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-CPV363M4FPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-CPV363M4FPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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VS-CPV363M4FPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱19-SIP (13 Leads), IMS-2
供應商設備包裝IMS-2

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Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

560W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

APTGT75DDA60T3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Dual Boost Chopper

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.62nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

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系列

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

4150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 650A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

54nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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