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VS-E4PH3006L-N3

VS-E4PH3006L-N3

僅供參考

型號 VS-E4PH3006L-N3
PNEDA編號 VS-E4PH3006L-N3
描述 DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 11,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-E4PH3006L-N3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-E4PH3006L-N3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-E4PH3006L-N3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)55ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247AD
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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